就
是
对
待
工
作
的
态
度
,
个产品,
做到极致认真
每一组数据
产 品 中 心
products



?表面改性机制?
预处理系统通过精确控制烘箱温度(100-200℃)、处理时长及保持时间等参数,使氮烷(HMDS六甲基二硅胺烷、乙烯基三甲氧基硅烷、PFTS三氯硅烷)沉积在衬底表面,生成疏水性的保护层,,将亲水基片转化为疏水性。该过程有效增大处理后的基片接触角,减少光刻胶使用量约30%,同时提升胶层与基片的黏附强度?。
?真空环境协同作用?
设备通过真空泵建立133Pa低气压环境,结合氮气置换技术,消除氧气对化学反应的干扰?。三面加热系统维持工艺温度恒温,确保硅烷蒸汽均匀分布在基片表面,完成高效化学键合?。
?工艺优化必要性?
半导体光刻工艺中,硅片表面残留的羟基和水分会导致光刻胶脱粘,引发显影液渗透、浮胶等问题?。HMDS预处理通过表面疏水化改造,阻断显影液侵蚀路径,使正胶工艺的图形转移成功率提升40%以上?。
?智能化操作优势?
集成自动HMDS加注系统和微电脑控温模块,实现真空抽排、氮气置换、温度控制的全流程自动化?。一键式操作界面支持5组程序存储,满足2英寸至12英寸晶圆的差异化处理需求?。
参数类别规格指标
电源配置 | AC220V±10%/50Hz±2% |
热力系统 | 2000W加热功率,±0.5℃波动度 |
真空性能 | 极限真空133Pa(1torr) |
处理空间 | 20-3000L支持定制) |
该设备采用316L医用不锈钢腔体,配置PID智能温控和触摸屏人机界面,确保半导体级工艺稳定性?。