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PI无氧烘箱工艺流程
来源: | 作者:隽思半导体设备部 | 发布时间: 2023-04-06 | 1208 次浏览 | 分享到:

  PI光刻胶是一种高性能、高精度的光刻胶,被广泛应用于微电子、光电子、MEMS等领域

PI无氧烘箱工艺的必要性

  PI光刻胶的预烘是将其涂覆在衬底上后,在特定温度下进行一段时间的烘千,使PI溶液中的溶剂挥发掉,PI形成一定的网状结构并增强其附着性。

PI无氧烘箱工艺要求(参考):

  1. 在低氧状态下使用

  2. 真空加热,升温至1xx℃

  3. 再温至1xx℃(约xh),保温约 30min;

  4. 继续升温至x00℃,视涂层厚度不同加热10-x0min

  5. 保温 约60min;

  6. 降温至100℃以下

PI无氧烘箱性能

温度:室温+50~400℃

氧浓度:≤10ppm 

真空度:1Torr

冷却装置:辅助降温

控制方式:可程式运行


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